關於SIMS（二次離子質譜術）的說明，下列何者正確？

正確答案：C. 以一次離子濺蝕試片，同時對射出的二次離子進行質量分析，調查雜質的深度方向分布

SIMS照射銫或氧的一次離子，一點一點濺蝕試片表面，並對釋出的二次離子進行質量分析。藉由邊濺蝕邊持續量測，可量測雜質濃度的深度方向分布，視元素而定，靈敏度可高達ppb左右。常用於離子佈植與擴散的評估，但因為會削除試片，屬於破壞性分析。以特徵X光調查元素的是EDX，以反射率量測膜厚的則是光學方法。