量測與分析
從MOS電容的C-V（電容-電壓）量測可以評估的項目，下列何者正確？
- A圖案的線寬
- B氧化膜厚度、界面能態、基板的雜質濃度等
- C晶圓表面的異物數量
查看答案與解析
正確答案：B. 氧化膜厚度、界面能態、基板的雜質濃度等
一邊改變施加於MOS電容的電壓一邊量測電容，電容會隨累積、空乏、反轉的狀態而變化。由累積側的最大電容Cox可求得氧化膜厚度 tox=εox·A/Cox；由曲線的位置可得知平帶電壓與膜中電荷，由曲線的鈍化可得知界面能態密度，由空乏側的斜率可得知基板的雜質濃度。線寬與異物數量則無法得知。