量測與分析
不製作電極,以電暈放電在晶圓表面載上電荷,量測表面電位的變化,藉此評估氧化膜或界面的電性特性的方法是下列何者?
- A四探針法
- BX光繞射
- C利用電暈充電的非接觸電性評估(COCOS等)
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正確答案:C. 利用電暈充電的非接觸電性評估(COCOS等)
以電暈放電在晶圓表面載上固定量的電荷,並以克耳文探針非接觸地量測表面電位,即使不製作MOS結構,也能評估氧化膜的厚度、膜中電荷、界面能態、漏電特性等。由於不需要製作閘極電極的步驟,量測過的晶圓也能直接進入下一製程,因此用於製造線的監控。四探針法或X光繞射無法得知這些電性特性。
- A. 四探針法是量測電阻率的接觸式方法。
- B. X光繞射是調查晶體結構的方法。
- C. 正確。以電暈充電與表面電位的量測來評估。