CMP與清洗

清洗晶圓背面與外圍(斜邊部,bevel)的主要目的為下列何者?

  1. A為了讓晶圓變輕
  2. B為了防止背面與外圍的汙染或微粒轉移到設備、其他晶圓或正面
  3. C為了讓晶圓發亮
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正確答案:B. 為了防止背面與外圍的汙染或微粒轉移到設備、其他晶圓或正面

晶圓背面與外圍的汙染,可能經由設備的載台、傳送機械手臂與FOUP擴散到其他晶圓,或剝落後附著到正面。背面的微粒也可能在曝光設備的載台上造成局部的焦點偏移(熱點)。尤其附著在外圍部(斜邊)的膜容易剝落,因此要以蝕刻去除或清洗斜邊部的膜,防止汙染擴散。

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