CMP與清洗
下列關於CMP設備基本構成的敘述，何者正確？
- A在真空中以離子束研削晶圓
- B只是將晶圓浸在藥液中使其溶解
- C將以研磨頭固定的晶圓壓在貼於旋轉平台上的研磨墊上，一邊供應研磨液一邊研磨
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正確答案：C. 將以研磨頭固定的晶圓壓在貼於旋轉平台上的研磨墊上，一邊供應研磨液一邊研磨
CMP設備使貼有研磨墊、直徑約70～80 cm的平台（platen）旋轉，將以研磨頭固定的晶圓朝下壓上去，研磨頭也同時旋轉。供應研磨液，結合化學作用與機械研磨來研削表面，研磨墊的表面則以修整器整理。一台設備備有多個平台與清洗、乾燥部，從分階段研磨到搬出乾燥的晶圓都連續進行。
- A. 以離子束研削的是離子研磨（ion milling）等。
- B. 只浸在藥液中是濕式蝕刻。
- C. 正確。將晶圓壓在旋轉的研磨墊上，以研磨液進行研磨。