下列何者被用來偵測CMP的研磨終點？

正確答案：B. 監控研磨中摩擦的變化（馬達扭矩等）或光反射率的變化

當正在研磨的膜被磨除而露出底層時，會因材料不同而使摩擦力大小與表面的光反射率改變。CMP設備會監控轉動研磨台的馬達扭矩（電流），或從平台的窗口照射到晶圓上的光之反射光譜，即時偵測研磨的終點。光學式還能估計剩餘膜厚，也有使用渦電流感測器量測金屬膜厚度的方法。