CMP與清洗

下列關於使用CMP之步驟的組合,何者正確?

  1. ASTI的氧化膜、鎢插塞、Cu鑲嵌配線等的平坦化
  2. B曝光與光阻塗佈
  3. C離子佈植與退火
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正確答案:A. STI的氧化膜、鎢插塞、Cu鑲嵌配線等的平坦化

CMP被用於許多步驟,包括STI填入氧化膜的平坦化、層間絕緣膜的平坦化、鎢插塞與Cu配線多餘金屬的去除,以及後閘極(gate-last)製程中虛擬閘極的露出、晶圓接合前的表面修整等,在先進邏輯製程中可多達數十次。針對所研磨的每種材料,會分別使用不同的研磨液、研磨墊、研磨條件與終點偵測方法。

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