下列關於LSI整體製造步驟中清洗步驟次數的說明，何者正確？

正確答案：B. 在許多步驟前後反覆進行，是所有步驟中次數特別多的步驟之一

清洗在沉積、蝕刻、離子佈植、CMP、灰化等步驟的前後反覆進行，在先進的LSI中可達200次以上，據說佔全部步驟的兩到三成。以步驟數而言在整體中特別多，藥液與超純水的使用量也大，因此是對良率與成本都有很大影響的基本步驟。

• A. 只在最後清洗，無法去除中途步驟的汙染。
• B. 正確。在步驟前後反覆進行多次。
• C. 只清洗1次，無法去除各步驟產生的汙染。