CMP與清洗
在多層配線等步驟中,必須以CMP使晶圓表面平坦的主要原因為下列何者?
- A為了讓表面發亮、外觀更好看
- B若表面殘留凹凸,下一次曝光時會出現無法對焦的部分,或使膜的加工變得困難
- C為了讓晶圓變重
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正確答案:B. 若表面殘留凹凸,下一次曝光時會出現無法對焦的部分,或使膜的加工變得困難
層數愈疊愈多,表面就會出現凹凸,而先進曝光的聚焦深度只有100 nm左右,因此超過該範圍的段差會使圖案無法被準確轉印。此外若有段差,在膜的沉積時段差處會變薄,蝕刻時也會產生蝕刻不盡的殘留。藉由CMP使表面平坦,才得以堆疊10層以上的配線,大幅提升配線的密度與性能。
- A. 這不是為了外觀的步驟。
- B. 正確。是為了曝光與加工而使其平坦。
- C. 這不是為了增加重量的步驟。