CMP與清洗

以稀釋氫氟酸最後清洗過的矽表面,其狀態下列何者正確?

  1. A表面由氫終端,呈疏水性
  2. B表面被金屬覆蓋
  3. C被厚氧化膜覆蓋,呈親水性
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正確答案:A. 表面由氫終端,呈疏水性

以稀釋氫氟酸去除氧化膜的矽表面,會成為Si-H鍵的氫終端狀態,呈排斥水的疏水性。這個表面在大氣中數十分鐘至數小時內不易繼續氧化,另一方面,由於呈疏水性,微粒容易附著,也容易產生水痕。因此要管理到閘極氧化或磊晶成長等下一個步驟之前的等待時間(Q-time)。

  • A. 正確。由氫終端而呈疏水性。
  • B. 氫氟酸清洗不會使表面被金屬覆蓋。
  • C. 氫氟酸會去除氧化膜,因此不會被氧化膜覆蓋。
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