CMP與清洗
下列何者是一般用來計數清洗後晶圓表面微粒數量的方法?
- A秤量晶圓的重量
- B以雷射光掃描晶圓表面,偵測粒子造成的散射光
- C將晶圓剖開觀察剖面
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正確答案:B. 以雷射光掃描晶圓表面,偵測粒子造成的散射光
微粒檢測設備(表面檢測設備)以雷射光照射並掃描旋轉的晶圓,偵測被粒子或缺陷散射的光,求出其位置與大小(換算為標準粒子的散射強度)。最新的設備可偵測20 nm以下的粒子。用於評估無圖案晶圓的清洗或設備的潔淨度,有圖案晶圓的缺陷檢測則使用另外的影像比對型設備。
- A. 粒子的重量非常小,無法以重量計數。
- B. 正確。以雷射的散射光偵測粒子。
- C. 觀察剖面的方法無法計數全面的粒子。