CMP與清洗

使CMP研磨頭按同心圓狀的多個區域分別改變壓在晶圓上的壓力,其主要目的為下列何者?

  1. A調整晶圓中心與外圍等處的研磨量,使面內膜厚均勻
  2. B為了節省研磨液
  3. C為了讓晶圓旋轉得更快
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正確答案:A. 調整晶圓中心與外圍等處的研磨量,使面內膜厚均勻

由於研磨速率與壓力大致成正比(普雷斯頓方程式),將研磨頭內的橡膠膜分為同心圓狀的多個區(5~10個左右),並分別改變各區的氣壓,就能調整晶圓各處的研磨量。藉由量測前一步驟的膜厚分布並做前饋,或在研磨中量測膜厚並即時調整,使研磨後的膜厚一致在數nm以內。

  • A. 正確。調整各處的研磨量使其均勻。
  • B. 目的不是節省研磨液。
  • C. 不是為了轉速的機構。
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