CMP與清洗
下列關於逐片處理晶圓之單晶圓式清洗設備的優點,何者正確?
- A可一次同時處理大量晶圓
- B完全不使用藥液
- C晶圓之間不易發生交互汙染,且容易逐片控制處理條件
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正確答案:C. 晶圓之間不易發生交互汙染,且容易逐片控制處理條件
單晶圓式清洗是將藥液從噴嘴噴灑到旋轉的晶圓上逐片處理,因此汙染不易從其他晶圓轉移過來,可逐片精細控制藥液的溫度、流量與時間,也能分別清洗正面、背面與外圍。將多片晶圓浸入藥液槽的批次式雖然處理能力高、藥液用量也少,但有交互汙染的風險。先進製程中單晶圓式的比例持續增加,主要廠商有SCREEN與東京威力科創(Tokyo Electron)。