CMP與清洗
下列關於CMP（化學機械研磨）的說明，何者正確？
- A結合研磨液（slurry）的化學作用與研磨墊的機械研磨，使表面平坦化
- B利用電漿中的離子削除表面以達到平坦化
- C以高溫熔融表面以達到平坦化
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正確答案：A. 結合研磨液（slurry）的化學作用與研磨墊的機械研磨，使表面平坦化
CMP是一邊供應含有研磨粒子與化學藥液的研磨液，一邊將晶圓壓在旋轉的研磨墊上進行研磨。藥液的化學反應會使表面變成較軟的層，再由粒子與研磨墊以機械方式去除，因此能兼顧只靠化學或只靠機械都無法達到的速度與平坦度。CMP於1980年代由IBM開發，可在整片晶圓上消除數十nm的段差，是形成多層配線與銅配線不可或缺的技術。