CMP와 세정

CMP에 의한 평탄화, 디싱, RCA 세정(SC-1과 SC-2)의 목적을 객관식 문제로 확인합니다.

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CMP와 세정: 핵심 정리

CMP(화학적 기계적 연마)는 슬러리의 화학 작용과 패드에 의한 기계적 연마를 결합하여 웨이퍼 표면을 평탄화합니다. 다층 배선과 다마신 공정에 의한 구리 배선 형성에 필수적입니다.

세정은 파티클, 유기물, 금속 오염, 자연 산화막을 제거하는 공정으로 제조 중에 여러 번 반복됩니다. RCA 세정에서 유래한 약액이 각각 어떤 목적으로 쓰이는지 학습하세요.

CMP와 세정 전체 문제 (50)

  1. CMP(화학적 기계적 연마)에 대한 설명으로 올바른 것은?
  2. RCA 세정에서 사용되는 SC-1(암모니아·과산화수소수 혼합액)의 주된 목적은?
  3. CMP에서 발생하는 '디싱(dishing)'에 대한 설명으로 올바른 것은?
  4. 희석 불산(DHF)을 이용한 세정의 주된 목적은?
  5. CMP에 사용되는 슬러리에 대한 설명으로 올바른 것은?
  6. 황산과 과산화수소수의 혼합액(SPM)을 이용한 세정의 주된 목적은?
  7. CMP 후 세정에서 특히 제거해야 하는 것은?
  8. 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 매엽식 세정 장비의 장점으로 올바른 것은?
  9. 세정 후 웨이퍼를 건조하는 공정에서 IPA(이소프로필알코올)를 사용하는 주된 목적은?
  10. CMP의 연마 종점을 검출하는 방법으로 사용되는 것은?
  11. CMP의 연마 속도를 나타내는 프레스턴 방정식에서 연마 속도에 비례한다고 하는 양은?
  12. STI 형성 CMP에서 실리콘 질화막에 대한 산화막의 연마 선택비를 높이기 위해 자주 사용되는 연마 입자는?
  13. MHz 대역의 초음파를 세정액에 가하여 웨이퍼 표면의 미세한 파티클을 제거하는 세정 방법은?
  14. 오존을 녹인 초순수(오존수)를 세정에 사용하는 주된 목적은?
  15. Cu 배선 CMP 슬러리에 첨가되는 벤조트리아졸(BTA) 등의 역할로 올바른 것은?
  16. CMP 연마 헤드에서 웨이퍼 주위를 둘러싸는 리테이너 링의 역할은?
  17. SC-1과 같은 알칼리성 세정액에서 한 번 떨어져 나간 파티클이 재부착되기 어려운 이유로 올바른 것은?
  18. 웨이퍼 표면의 철이나 구리 등 금속 오염이 일으키는 문제로 올바른 것은?
  19. CMP에서 웨이퍼 표면에 미세한 흠집(스크래치)이 생기는 주된 원인으로 올바른 것은?
  20. 미세 구조의 붕괴를 막기 위해 액체를 사용하지 않고 표면의 자연 산화막 등을 제거하는 방법은?
  21. CMP가 사용되는 공정의 조합으로 올바른 것은?
  22. CMP 연마 패드의 표면을 다이아몬드 공구로 깎아 정돈하여 연마 속도를 안정시키는 작업을 무엇이라고 하는가?
  23. CMP가 열 리플로우나 에치백에 의한 평탄화와 비교해 우수한 점으로 올바른 것은?
  24. 표준적인 RCA 세정에서 SC-1과 SC-2의 순서와 목적의 조합으로 올바른 것은?
  25. 고종횡비 패턴을 세정·건조할 때 패턴 쓰러짐이 일어나는 주된 원인은?
  26. 텅스텐 CMP에서 슬러리에 과산화수소 등의 산화제를 첨가하는 이유로 올바른 것은?
  27. CMP의 연마량이 칩 내 패턴 밀도에 따라 달라지는 문제에 대한 설계상의 대책으로 올바른 것은?
  28. CMP 슬러리 연마 입자 크기의 기준으로 올바른 것은?
  29. 최근 세정 공정에서 약액을 희석하여 사용하거나 기능수를 사용하는 주된 목적은?
  30. 웨이퍼의 뒷면이나 외곽(베벨부)을 세정하는 주된 목적은?
  31. 반도체 제조 공정에서 웨이퍼 세정이 중요하다고 하는 주된 이유는?
  32. LSI 제조 공정 전체에서 세정 공정의 횟수에 대한 설명으로 올바른 것은?
  33. 세정으로 제거하는 대상인 웨이퍼 표면 오염의 종류 조합으로 올바른 것은?
  34. 다층 배선 등의 공정에서 CMP로 웨이퍼 표면을 평탄하게 만들어야 하는 주된 이유는?
  35. CMP 장비의 기본 구성으로 올바른 것은?
  36. Cu 배선 CMP에서 일반적으로 연마를 여러 단계로 나누어 수행하는 이유로 올바른 것은?
  37. CMP 연마 패드에서 경질 패드와 연질 패드의 일반적인 특징 차이로 올바른 것은?
  38. 희석 불산으로 마지막에 세정한 실리콘 표면의 상태로 올바른 것은?
  39. CMP 슬러리를 연마 장비로 공급하는 배관 중간에 필터를 설치하는 주된 목적은?
  40. 세정으로 웨이퍼 표면의 파티클을 제거할 때, 입자 크기와 제거 용이성의 관계로 일반적으로 올바른 것은?
  41. CMP에서 연마를 계속하면 연마 패드의 온도가 올라간다. 이때 연마 속도의 변화로 일반적으로 올바른 것은?
  42. SC-1(암모니아·과산화수소수 혼합액)에서 과산화수소가 수행하는 역할로 올바른 것은?
  43. 세정 후 웨이퍼 표면의 파티클 수를 세는 데 일반적으로 사용되는 방법은?
  44. CMP 직후의 웨이퍼를 건조시키지 않고 젖은 채로 세정 공정으로 옮기는 것이 중요한 이유는?
  45. 다수의 웨이퍼를 같은 세정액 조에 담가 세정하는 배치식 세정의 주의점으로 올바른 것은?
  46. 미세 패턴을 쓰러뜨리지 않고 파티클을 제거하는 방법으로 연구·실용화되고 있는, 극저온의 이산화탄소나 아르곤 등의 미립자를 분사하는 세정은?
  47. CMP 연마 헤드에서 웨이퍼를 누르는 압력을 동심원 형태의 여러 구역별로 바꿀 수 있게 하는 주된 목적은?
  48. 연마 입자를 슬러리에 넣는 대신 연마 패드 안에 고정해 두는 방식의 CMP는?
  49. SPM(황산과 과산화수소수) 세정 후 헹굼이 불충분할 때 발생하기 쉬운 문제로 알려진 것은?
  50. 기계적인 힘을 줄이고 싶은 용도에서 연구되어 온, 전기화학적 용해를 결합하여 금속을 평탄화하는 연마 방법은?

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