CMP與清洗

半導體製造步驟中,晶圓清洗被視為重要的主要原因為下列何者?

  1. A即使是些微的微粒或金屬等汙染,也會造成配線短路或斷線及特性變動,使良率下降
  2. B為了使晶圓的顏色一致
  3. C為了讓晶圓變輕
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正確答案:A. 即使是些微的微粒或金屬等汙染,也會造成配線短路或斷線及特性變動,使良率下降

在微細的LSI中,即使只有一顆與配線間距相當的數十nm微粒,也會造成短路或斷線,極微量的金屬、有機物汙染也會引起漏電流增加與臨界電壓的變動。一顆晶片上有數十億個電晶體,因此只要有一個缺陷就可能成為不良品。所以在各步驟前後去除汙染的清洗不可或缺,是支撐良率的基本步驟。

  • A. 正確。即使些微的汙染也會成為不良的原因。
  • B. 並非為了使顏色一致。
  • C. 並非為了改變重量。
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