リソグラフィ
次世代のEUV露光装置として開発された「High-NA EUV」の特徴として正しいものはどれか。
- A投影光学系の開口数を0.33から0.55に大きくし、解像度を高めた
- B露光波長を193 nmに長くした
- Cマスクを使わずに露光する
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正解：A. 投影光学系の開口数を0.33から0.55に大きくし、解像度を高めた
従来のEUV露光装置の開口数は0.33ですが、High-NA EUVでは0.55に大きくし、解像度をさらに高めました。波長は同じ13.5 nmです。一方で焦点深度が浅くなり、露光できる領域の大きさが従来の半分になるなどの制約もあります。