OPC(光学近接効果補正)とは

おーぴーしー

光の回折などでパターンがゆがむのを見越して、マスクのパターンをあらかじめ補正しておく技術。

この用語の分野: リソグラフィ

解説の中の「OPC(光学近接効果補正)」

「OPC(光学近接効果補正)」が出てくる問題(8問)

  1. OPC(光近接効果補正)の説明として正しいものはどれか。
  2. フォトマスク(レチクル)のパターンを描くために主に使われる装置はどれか。
  3. 解像度の式 R = k1 × λ / NA の係数k1についての説明として正しいものはどれか。
  4. 露光量とフォーカスを変えても、パターンの寸法が許容範囲内に収まる条件の範囲を何と呼ぶか。
  5. 露光装置の照明の形とマスクのパターンを、計算機で同時に最適化して解像性を高める技術はどれか。
  6. EUV露光で問題になる「フレア」の主な原因として正しいものはどれか。
  7. EUVマスクで、吸収体のパターンの厚さが波長に比べて無視できず、斜めに入射する光が影をつくるなどして像に影響する現象を何と呼ぶか。
  8. 設計したレイアウトのうち、露光や加工のシミュレーションでパターンがつながったり切れたりしやすいと予測される弱い箇所を何と呼ぶか。

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