成膜(CVD・PVD)
CVD・PVD・ALDの違い、スパッタリング、プラズマCVDの特長など成膜技術の基本を3択問題で学べます。
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成膜(CVD・PVD)の要点
成膜は、ウエハ上に絶縁膜・半導体膜・金属膜などの薄膜をつくる工程です。ガスの化学反応で膜を堆積するCVDと、スパッタリングや蒸着のように物理的な方法で堆積するPVDに大きく分けられます。
微細化と立体化が進むなかで、原子層単位で膜厚を制御でき、深い溝にも均一に成膜できるALDの重要性が高まっています。
成膜(CVD・PVD)の問題一覧（50問）
- スパッタリングによる成膜は、次のどれに分類されるか。
- ALD(原子層堆積)の特徴として正しいものはどれか。
- プラズマCVD(PECVD)の主な利点として正しいものはどれか。
- 成膜におけるステップカバレッジ(段差被覆性)の説明として正しいものはどれか。
- Cu配線の溝を埋め込むために主に用いられる成膜方法はどれか。
- 減圧CVD(LPCVD)の特徴として正しいものはどれか。
- LPCVDでポリシリコン膜を成膜するときに一般的に使われる原料ガスはどれか。
- 真空蒸着の説明として正しいものはどれか。
- 成膜した薄膜の内部応力が大きいときに起こりやすい問題はどれか。
- 液状の材料をウエハの中心に滴下し、高速で回転させて均一な膜をつくる方法を何と呼ぶか。
- シリコン酸化膜のCVDで原料として広く使われる、液体の有機シリコン化合物はどれか。
- タングステンのCVDで原料として使われるガスはどれか。
- 高密度プラズマCVD(HDP-CVD)が、狭い溝の絶縁膜埋め込みに使われてきた理由として正しいものはどれか。
- シリコン窒化膜(Si3N4)の用途として正しいものはどれか。
- マグネトロンスパッタリングで、ターゲットの裏側に磁石を置く主な目的はどれか。
- CVDで段差被覆性(コンフォーマル性)がよくなる条件として正しいものはどれか。
- シランを熱分解してシリコン膜を堆積するとき、成膜温度を低くした場合にできる膜はどれか。
- ALDで成膜される代表的な材料の例として正しいものはどれか。
- スパッタした原子をイオン化し、ウエハにかけたバイアスで垂直に引き込むスパッタ方式の主な目的はどれか。
- 成膜やエッチングの装置で、ウエハを静電気力で台に固定する機構はどれか。
- 熱CVDでシリコン窒化膜(Si3N4)を成膜するときに使われる原料ガスの組み合わせとして正しいものはどれか。
- チタンのターゲットを窒素を含むガス中でスパッタし、窒化チタン(TiN)膜を形成する方法を何と呼ぶか。
- プラズマを使うALD(PEALD)の利点として正しいものはどれか。
- CVD装置で、原料ガスをウエハの上から多数の小さな穴を通して均一に供給する部品はどれか。
- 非常に狭く深い溝を、流動性のある膜で下から埋めてから固化させる成膜方法として正しいものはどれか。
- スパッタリングで成膜速度を上げるために一般に行われることはどれか。
- 同じ材料の膜で比べたとき、高温の熱CVD膜がプラズマCVD膜より一般に優れている点はどれか。
- ALDの1サイクルで成膜される膜厚の目安として正しいものはどれか。
- 電子ビームで材料を加熱する真空蒸着の利点として正しいものはどれか。
- 表面の材料の違いを利用して、特定の場所だけに膜を成長させる技術はどれか。
- 半導体の製造で扱う薄膜の厚さの目安として最も適切なものはどれか。
- LSIの製造工程の基本的な組み立て方として正しいものはどれか。
- 多くの成膜を真空の装置の中で行う主な理由はどれか。
- アルミニウム配線の膜をつくるのに主に使われてきた成膜方法はどれか。
- スパッタリングの「スパッタ収率」の意味として正しいものはどれか。
- プラズマCVDで成膜したシリコン窒化膜の特徴として正しいものはどれか。
- 狭い溝を成膜で埋めるとき、溝の入り口付近に膜が厚くつく(オーバーハング)と起こりやすい問題はどれか。
- スパッタ装置で、ターゲットとウエハの間に多数の穴をもつ板(コリメータ)を置く目的はどれか。
- スパッタリングや蒸着などのPVDで、深い溝の側壁や底に膜がつきにくい主な理由はどれか。
- LPCVDでポリシリコン膜を成膜しながら、リンなどの不純物を含むガスを同時に流して導電性の膜をつくることを何と呼ぶか。
- コンタクトホールをタングステンのCVDで埋め込む前に、TiN(窒化チタン)などの薄い膜を下地につける主な理由はどれか。
- 低温のCVDなどで成膜した酸化膜を、成膜後に高温で熱処理する「デンシファイ(緻密化)」の主な目的はどれか。
- ALDで、表面の自己停止的な反応によって1サイクルあたりの膜厚が一定になる温度の範囲を何と呼ぶか。
- 真空蒸着と比べたときのスパッタリングの利点として正しいものはどれか。
- CVD装置の方式で、ウエハを置く台だけを加熱し、反応炉の壁は低温に保つ方式はどれか。
- HfO2のゲート絶縁膜をALDで成膜するときに使われる原料の組み合わせの例として正しいものはどれか。
- スパッタで成膜した金属膜が、成膜温度が低いと柱状の結晶粒とすき間の多い組織になりやすいことを、温度とガス圧で整理したモデルはどれか。
- CVDで、成膜する面積が大きいウエハやパターンほど原料が多く消費され、成膜速度が下がる現象を何と呼ぶか。
- 反応性スパッタで、反応ガスの流量を増やしすぎたときに、ターゲットの表面が化合物で覆われて成膜速度が急に下がる現象を何と呼ぶか。
- プラズマCVDのシリコン窒化膜の応力を、圧縮から引っ張りまで調整する方法として使われるものはどれか。