EUV露光とは

いーゆーぶいろこう

波長13.5 nmの極端紫外光を使う露光技術。反射光学系と真空環境を用いる。

この用語の分野: リソグラフィ

解説の中の「EUV露光」

「EUV露光」が出てくる問題(14問)

  1. EUV露光で使われる光の波長はどれか。
  2. EUV露光で使われるマスクの特徴として正しいものはどれか。
  3. 次世代のEUV露光装置として開発された「High-NA EUV」の特徴として正しいものはどれか。
  4. EUV露光で問題になる確率的なゆらぎ(ストカスティクス)の主な原因として正しいものはどれか。
  5. EUV露光向けに開発が進む、金属酸化物を含むレジストの利点として正しいものはどれか。
  6. EUV露光装置を事実上1社で供給している企業はどれか。
  7. EUV露光装置の光源で、13.5 nmの光をつくる方法として正しいものはどれか。
  8. EUV露光で問題になる「フレア」の主な原因として正しいものはどれか。
  9. EUV露光で、レジストから出るガス(アウトガス)が問題視されてきた主な理由はどれか。
  10. 最先端のEUV露光装置についての説明として適切なものはどれか。
  11. FinFETの細いフィンをつくるのに使われる、側壁スペーサーを利用してリソグラフィの限界より細かいパターンをつくる技術はどれか。
  12. ダブルパターニング(マルチパターニング)の説明として正しいものはどれか。
  13. EUVマスクの反射多層膜に使われる材料の組み合わせとして正しいものはどれか。
  14. 先端プロセスの世代が進むにつれて、加工済みのウエハ1枚あたりの価格が大きく上がっている主な理由として適切なものはどれか。

関連する用語

開口数(NA) SADP(自己整合ダブルパターニング) マルチパターニング High-NA EUV 焦点深度(DOF) ラインエッジラフネス(LER) プラズマ OPC(光学近接効果補正) FinFET ALD

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