化学増幅型レジストとは
かがくぞうふくがたれじすと
露光で発生した酸が、露光後ベーク(PEB)で触媒として連鎖的に反応を進めるレジスト。少ない露光量で感光でき、KrF以降の露光で広く使われる。塩基性の汚染に弱い。
この用語の分野: リソグラフィ
かがくぞうふくがたれじすと
露光で発生した酸が、露光後ベーク(PEB)で触媒として連鎖的に反応を進めるレジスト。少ない露光量で感光でき、KrF以降の露光で広く使われる。塩基性の汚染に弱い。
この用語の分野: リソグラフィ
化学増幅型レジストでは、露光で光酸発生剤から酸が生じ、露光後の加熱(PEB、90〜130 ℃程度)の間にその酸が触媒として樹脂の保護基を外す反応を数十〜数百回も繰り返します。
化学増幅型レジストの特徴として正しいものはどれか。化学増幅型レジストでは、露光で発生したごく微量の酸が触媒として働き、露光後の加熱(PEB)で溶解性を変えます。
化学増幅型レジストを使う露光エリアで、アンモニアやアミンなどの塩基性の分子状汚染を特に厳しく管理する理由はどれか。次に露光し、化学増幅型レジストでは露光後ベーク(PEB)で反応を進めます。
リソグラフィの一般的な工程順として正しいものはどれか。分子状汚染(AMC) 反射防止膜(BARC) フォトレジスト EUV露光 位相シフトマスク ArFエキシマレーザー 液浸露光 オーバーレイ(重ね合わせ精度) OPC(光学近接効果補正) 開口数(NA)