在先進CMOS製程中，要求降低矽或SiGe磊晶成長的溫度，下列何者是正確的理由？

正確答案：C. 為了抑制已形成結構的雜質擴散與變形（熱預算的限制）

電晶體的微細結構與陡峭的雜質分布，一旦暴露在高溫下，雜質就會擴散而崩壞。此外，SiGe的應變會鬆弛，奈米片的層也會互相混合。因此在製程後段進行的源極・汲極磊晶成長等，必須在600～700 ℃左右以下的低溫進行。整個製程所容許的熱量稱為熱預算（thermal budget）。