磊晶成長 使用三氯矽烷的矽磊晶成長，其一般成長溫度最接近下列何者？ A約100 ℃ B約1100 ℃ C約2000 ℃ 查看答案與解析 正確答案：B. 約1100 ℃ 使用三氯矽烷的矽磊晶成長，一般在1100～1150 ℃前後進行，成長速率可達每分鐘數µm，適合製作較厚的磊晶層。若是二氯矽烷，約在1000～1100 ℃；若是矽烷，則在600～900 ℃左右的較低溫度也能成長，因此在熱預算嚴格的先進製程中會使用這些原料。2000 ℃超過了矽的熔點（約1414 ℃）。