與熱擴散相比，在磊晶成長過程中添加雜質的方法有何優點？下列何者正確？

正確答案：B. 容易在深度方向做出陡峭的濃度變化

熱擴散時，雜質從表面往內部擴散，因此只能做出表面濃度最高、再平緩下降的分布。在磊晶成長中，藉由切換成長期間添加的氣體量，可逐層改變濃度，也能做出數nm以內的陡峭變化、在內部埋入高濃度層的結構，以及表面低濃度而內部高濃度的相反分布。這對HBT的基極與功率元件的多層結構不可或缺。