磊晶成長 SiC功率元件主要使用的晶體多型（polytype）為下列何者？ A4H-SiC B3C-SiC C15R-SiC 查看答案與解析 正確答案：A. 4H-SiC SiC有200種以上的晶體多型，但功率元件主要使用4H-SiC。這是因為其能隙約為3.26 eV而較大、電子遷移率高達約1000 cm²/V·s，且方向性的差異（異向性）小。6H-SiC的遷移率異向性大，3C-SiC的能隙約為2.4 eV而偏小。高品質基板與磊晶成長技術已經確立，也是原因之一。