在GaN HEMT用的磊晶結構中，於通道下方的GaN緩衝層添加碳或鐵，其主要目的為下列何者？

正確答案：B. 使緩衝層成為高電阻，抑制關閉時的漏電流與短通道效應

GaN會因成長中非刻意納入的氧或矽等施體而容易成為n型，若電流流過緩衝層，閘極就不易截止電流，高電壓下漏電也會增加。添加碳或鐵，以深能階捕捉電子，使緩衝層成為高電阻。不過在被捕捉的電荷釋放之前，2DEG會減少，使電流暫時下降，這也是電流崩塌的原因，因此添加量與位置的調整很重要。

• A. 目的不是使其發光。
• B. 正確。使其高電阻化以抑制漏電。
• C. 目的正好相反，是使緩衝層成為高電阻。