磊晶成長過程中，基板等的雜質經由氣相被帶入成長層的現象稱為什麼？

正確答案：A. 自摻雜

自摻雜是指含有高濃度雜質的基板及其背面、側面的雜質蒸發，經由氣體被帶入成長中的層的現象。尤其在成長初期較為明顯，會使磊晶層的雜質濃度偏離設計值，或使界面的濃度變化變得平緩。對策包括以氧化膜或多晶矽覆蓋基板背面、採用減壓成長，以及在成長前先以氣體驅除一次雜質等。