在Si基板上成長GaN時，主要的課題為下列何者？

正確答案：B. 晶格常數與熱膨脹係數的差異大，容易產生差排、裂紋及晶圓翹曲

GaN與矽的晶格常數相差約17%，差異很大，因此會產生許多差排；GaN的熱膨脹係數也較大，所以在1000 ℃以上成長後冷卻，膜會受到拉伸應力，容易產生裂紋及數十µm的晶圓翹曲。此外還有Ga與Si在高溫下反應的問題。藉由AlN的成核層與AlGaN等多層緩衝層來抵消應力，已使200 mm Si基板上的GaN成長達到實用化。