磊晶成長 在晶格常數較大且已鬆弛的SiGe層上磊晶成長薄矽層時，矽層中產生的應變為下列何者？ A壓縮應變 B不產生應變 C拉伸應變 查看答案與解析 正確答案：C. 拉伸應變 矽的晶格常數（0.543 nm）比SiGe小，因此在已鬆弛的SiGe上成長薄矽時，原子間距會配合SiGe在面內被拉長，產生拉伸應變（應變矽）。應變使導帶的能谷分裂，電子集中到有效質量輕的能谷，散射也減少，因此電子遷移率提高為1.5～2倍，一直被用於提升nMOS的性能。