磊晶成長
為了在藍寶石基板上成長高品質的GaN，赤崎勇、天野浩等人開發了先在低溫沉積薄層、再於高溫成長GaN的技術，是下列何者？
- A化學機械研磨
- B低溫緩衝層技術
- C浮動區域法
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正確答案：B. 低溫緩衝層技術
若在藍寶石上直接成長GaN，晶核會稀疏地形成，變成六角柱狀的粗糙晶體。赤崎・天野等人在1986年，先在約500 ℃的低溫沉積AlN的薄（數十nm）緩衝層，再於其上以約1000 ℃成長GaN，成功得到晶核緻密、平坦且高品質的晶體。這項技術與p型GaN的實現促成了藍光LED，之後也開始使用GaN本身的低溫緩衝層。
- A. 化學機械研磨是使表面平坦的研磨技術。
- B. 正確。是使用在低溫沉積之緩衝層的技術。
- C. 浮動區域法是製造矽單晶的方法。