磊晶成長
磊晶層中產生的代表性晶體缺陷之一，原子面堆疊順序紊亂者為下列何者？
- A空洞（void）
- B凸丘（hillock）
- C堆疊缺陷（stacking fault）
查看答案與解析
正確答案：C. 堆疊缺陷（stacking fault）
堆疊缺陷是晶體原子面的堆疊順序（矽的{111}面為ABCABC…）局部紊亂的缺陷。在磊晶成長中，它以基板表面的污染、微粒或刮傷為起點產生，並在表面呈現三角形或四邊形的圖案，因此可由光學檢查計數。由於會造成元件漏電流等問題，成長前的清洗與氫烘烤表面處理很重要。