在以石墨烯等二維材料覆蓋的基板上成長晶體，並將成長的膜從基板剝離，使基板得以重複使用，這種處於研究階段的技術為下列何者？

正確答案：A. 遠端磊晶

在遠端磊晶中，以1～2個原子層的石墨烯等覆蓋基板，並在其上成長晶體。石墨烯夠薄，基板原子的電位會滲出，基板的晶體資訊得以傳遞而得到單晶；另一方面，膜與基板之間不形成化學鍵，因此可用膠帶等輕易剝離成長的膜，並重複使用基板。可望應用於昂貴的GaAs或SiC基板的再利用，以及可彎曲的元件。

• A. 正確。是隔著二維材料成長，使膜可被剝離的技術。
• B. 熱擴散是以熱使雜質擴散的製程。
• C. 陽極接合是以電壓與熱接合矽與玻璃的方法。