磊晶成長 MOCVD（有機金屬氣相沉積法）主要用於下列何種用途？ A矽的熱氧化 BCu配線的電鍍 CGaN等化合物半導體的磊晶成長 查看答案與解析 正確答案：C. GaN等化合物半導體的磊晶成長 MOCVD是使三甲基鎵等有機金屬與氨等氫化物氣體在加熱的基板上反應，以成長化合物半導體晶體的方法。藉由切換氣體，可以數nm為單位改變組成，且一次可處理數十片晶圓，具備量產性。除了GaN系的藍光・白光LED、半導體雷射、高頻・功率元件之外，也廣泛用於太陽能電池的製造。