磊晶成長 下列何者是以減壓進行矽磊晶成長的優點之一？ A容易抑制自摻雜 B成長速率一定變快 C成長溫度可提高到2000 ℃以上 查看答案與解析 正確答案：A. 容易抑制自摻雜 以減壓（數kPa～數十kPa）進行磊晶成長時，氣體的擴散變快，從基板蒸發的雜質不易滯留在成長面附近的邊界層，因此可抑制自摻雜。邊界層變厚，使氣體均勻分布，所以膜厚均勻性也有變好的傾向，並且更容易進行選擇性成長。另一方面，成長速率有比常壓時慢的傾向，因此要依用途選用。