磊晶成長
為了製作GaN自立基板，而用來高速成長厚GaN層的方法為下列何者？
- AALD（原子層沉積）
- BHVPE（氫化物氣相磊晶）
- C熱氧化
查看答案與解析
正確答案：B. HVPE（氫化物氣相磊晶）
HVPE是使氯化氫流過高溫的鎵以生成氯化鎵（GaCl），再與氨反應以成長GaN的方法，每小時可達數十～數百µm，是MOCVD的數十倍速度。在藍寶石等基板上成長數百µm～mm的厚GaN，再移除基板即成為自立基板，成長得越厚，差排也越減少，這也是其優點。GaN基板用於雷射與垂直型功率元件。
- A. ALD是逐原子層成長的方法，不適合成長厚層。
- B. 正確。以高成長速率成長厚GaN。
- C. 熱氧化是形成矽氧化膜的製程。