磊晶成長 下列關於異質磊晶成長中臨界膜厚的說明，何者正確？ A開始成長所需的最小膜厚 B可用蝕刻去除的最大膜厚 C不產生差排而能維持應變成長的最大膜厚 查看答案與解析 正確答案：C. 不產生差排而能維持應變成長的最大膜厚 晶格常數不同的膜在還很薄時，會配合基板維持應變狀態成長（共格成長）。隨著膜厚增加，應變能變大，超過臨界膜厚後會產生失配差排，使應變鬆弛。失配越大，臨界膜厚越薄，例如Ge 20%的SiGe約為數十nm。這是在無差排狀態下設計應變SiGe層或量子井時的重要數值。