在SiC磊晶成長中，表面的多個原子階梯聚集成為大的階差，使表面變粗糙的現象稱為什麼？

正確答案：B. 階梯聚集（step bunching）

在具有偏角的基板上，晶體會沿著階梯成長，但若成長或蝕刻的速度因階梯而異，多個階梯就會聚集成為數nm～數十nm的大階差。這就是階梯聚集，表面的凹凸會使MOS界面的特性與閘極氧化膜的可靠度變差。在SiC中，以成長前氫蝕刻的條件、C/Si比，以及縮小偏角等方式來抑制。

• A. 碟陷是在CMP中配線中央凹陷的現象。
• B. 正確。是階梯聚集成大階差的現象。
• C. 頸縮是單晶拉晶時將晶體縮細的製程。