在p+基板上成長低濃度p型磊晶層的晶圓（p/p+磊晶晶圓），下列何者是其正確的優點？

正確答案：B. 表面的晶體品質良好，且容易抑制CMOS的閂鎖效應

磊晶層的氧析出物及COP等缺陷比CZ晶圓表面更少，因此製作元件的表面品質較佳。此外，下方若有低電阻的p+基板，寄生閘流體的電流容易逃向基板，井與井之間不易產生電位差，因此容易抑制CMOS的閂鎖效應。高濃度基板也有助於金屬雜質的吸附（gettering），廣泛用於微控制器與影像感測器。