在GaN等材料中，從遮罩的開口處成長晶體，並使其在遮罩上方橫向成長以減少差排的技術稱為什麼？

正確答案：A. 橫向磊晶成長（ELO）

在ELO中，於SiO2等遮罩上設置條紋狀的開口，從開口成長的晶體在遮罩上方橫向擴展並合併。由於從基板向上延伸的差排會被遮罩阻擋，遮罩上方區域的差排密度可降低數個數量級。1990年代後半，它被用來大幅延長GaN系藍紫色雷射的壽命，目前也已開發出不使用遮罩的衍生技術。