什麼是自摻雜

磊晶成長過程中，基板等的雜質經由氣相被帶入成長層的現象。在高濃度基板上成長低濃度層時會成為問題。

日文名稱: オートドーピング

「自摻雜」出現在1領域的1道練習題中（矽晶圓等）。

這個名詞所屬的領域: 磊晶成長

練習自摻雜的題目

高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？

  1. A影像感測器的受光層本身
  2. B太陽能電池的抗反射膜
  3. C作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板
查看答案與解析

正確答案：C. 作為成長低濃度磊晶層的基板，或垂直型功率元件汲極側的基板

高濃度、低電阻(0.001〜0.01 Ω·cm左右)的n⁺晶圓，被用作在其上成長低濃度磊晶層的磊晶晶圓之基板。在垂直型功率MOSFET與二極體中，電流是在基板中縱向流動，所以降低基板電阻就能降低導通電阻。依偏析與蒸發的性質，砷、銻、磷各有其適用處，抑制往磊晶層的滲出(自摻雜，autodoping)是課題。

解析中的「自摻雜」

出現「自摻雜」的題目（1題）

  1. 高濃度摻入砷或銻的低電阻n⁺矽晶圓，其主要用途下列哪一項是正確的？

相關名詞

導通電阻 4H-SiC 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 選擇性磊晶成長

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