磊晶成長
在有埋層等圖案的基板上磊晶成長矽時,表面出現的階差位置偏離下方圖案,或形狀發生扭曲的現象稱為什麼?
- A圖案位移(pattern shift)
- B負載效應
- C微負載效應
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正確答案:A. 圖案位移(pattern shift)
在磊晶成長中,成長速率會因晶面的方位而異,因此下方圖案階差的位置會隨成長而橫向偏移(圖案位移)、形狀崩壞(圖案變形),或消失(沖蝕,washout)。這會成為後續曝光時對準埋層位置的誤差原因,因此以使用從(100)面傾斜數度的晶圓、調整成長溫度與壓力等方法來抑制。
- A. 正確。是階差位置偏移的現象。
- B. 負載效應是蝕刻或成膜速度隨加工面積而改變的現象。
- C. 微負載效應是蝕刻速率隨圖案密度等而局部改變的現象。