磊晶成長

在以MOCVD成長GaN時,作為條件管理的「V/III比」,其意義為下列何者?

  1. A膜厚與成長時間的比
  2. B所供應的V族原料(氨等)與III族原料(有機鎵等)的莫耳比
  3. C成長溫度與壓力的比
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正確答案:B. 所供應的V族原料(氨等)與III族原料(有機鎵等)的莫耳比

V/III比是供應至反應爐的V族元素原料與III族元素原料之量的比。在GaN的成長中,由於氨的分解效率低,且高溫下氮容易逸失,因此將V/III比設得非常大,達數百~數千。V/III比是會影響表面平坦性、橫向與縱向成長速度的平衡、碳等雜質的納入,以及點缺陷量等的重要條件。

  • A. 膜厚與時間的比是成長速率。
  • B. 正確。是V族與III族原料的供應比。
  • C. 不是溫度與壓力的比。
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