磊晶成長 下列關於選擇性磊晶成長的說明，何者正確？ A在整片晶圓上均勻成長 B選擇非晶質的膜來成長 C只在矽裸露的部分成長晶體，不在絕緣膜上成長 查看答案與解析 正確答案：C. 只在矽裸露的部分成長晶體，不在絕緣膜上成長 選擇性磊晶成長是藉由加入鹽酸（HCl）等方式，只在矽裸露的部分成長晶體，並以蝕刻去除在氧化膜或氮化膜上剛形成的晶核。它被用於在先進CMOS的源極・汲極中嵌入SiGe或SiP以對通道施加應變並降低電阻的製程，以及FinFET的抬升式源極・汲極、GAA的奈米片堆疊等。