在CVD磊晶成長中，於相對低溫的區域，成長速率強烈依賴溫度。下列何者是正確的理由？

正確答案：B. 因為成長速率由表面化學反應的快慢決定（表面反應限速）

低溫時表面的化學反應較慢，反應的快慢決定成長速率（表面反應限速）。反應速率依阿瑞尼斯方程式隨溫度呈指數變化，因此成長速率也強烈依賴溫度，晶圓面內的溫度均勻性會直接成為膜厚均勻性。高溫時反應夠快，原料氣體抵達表面的速度決定成長速率，成為供應限速（擴散限速），氣流的均勻性就變得重要。