磊晶成長
LSI或功率元件用的矽磊晶晶圓，其磊晶層厚度的一般範圍為下列何者？
- A數nm左右
- B數µm～數十µm左右
- C數mm左右
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正確答案：B. 數µm～數十µm左右
邏輯或影像感測器用的磊晶層約為數µm，高耐壓功率元件用的則依耐壓而變厚，Si的600 V等級為數十µm，SiC的10 kV等級甚至可超過100 µm。與厚度約775 µm的晶圓本體相比，是非常薄的一層。另一方面，HBT基極或量子井這類化合物的磊晶層為數nm～數十nm，依用途不同，厚度的範圍可達4個數量級以上。
- A. 數nm是量子井等極薄層的厚度。
- B. 正確。數µm～數十µm是一般的厚度。
- C. 數mm比晶圓本體還厚，不是磊晶層的厚度。