磊晶成長
在高濃度基板上以高溫成長低濃度磊晶層時，基板的雜質藉由固體中的擴散滲入磊晶層側，使界面的濃度變化變得平緩，這種現象稱為什麼？
- A電致遷移
- B濺鍍
- C外擴散（out-diffusion）
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正確答案：C. 外擴散（out-diffusion）
由於磊晶成長及後續熱處理的高溫，高濃度基板的雜質會在固體中擴散而進入磊晶層，使基板與磊晶層邊界的濃度變化變得平緩。這就是外擴散，會使有效的低濃度層厚度減少，在功率元件中導致耐壓下降。以擴散慢的砷或銻用於基板，並抑制熱預算來預防。它與經由氣相納入的自摻雜不同。
- A. 電致遷移是因電流而使配線的金屬原子移動的現象。
- B. 濺鍍是以離子撞擊將原子擊出的成膜方法。
- C. 正確。是基板的雜質在固體中擴散進入磊晶層的現象。