什麼是磊晶成長
在單晶基板上，使晶體方位與基板一致，成長出單晶薄膜的技術。
日文名稱: エピタキシャル成長
「磊晶成長」出現在1領域的3道練習題中（先進電晶體（FinFET與GAA）等）。
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
練習磊晶成長的題目
在 FinFET 的源極、汲極中，於鰭片上以磊晶成長使晶體隆起的主要目的為何？
- A為了使電晶體發光
- B為了增長閘極長度
- C為了降低寄生電阻，並對通道施加應變
解析中的「磊晶成長」
以磊晶成長使晶體隆起成菱形後，截面積增加，可降低電阻並容易取得接觸。
在 FinFET 的源極、汲極中，於鰭片上以磊晶成長使晶體隆起的主要目的為何？在奈米片型 GAA 中，加工將 Si 與 SiGe（Ge 約 25～30%）交替磊晶成長而成的堆疊，移除虛設閘極後，以高選擇比只蝕刻 SiGe，使 Si 薄片懸空。
在奈米片型 GAA 電晶體的製造中，從 Si 與 SiGe 交替堆疊的層中選擇性移除僅 SiGe 層的原因，下列何者正…增加片數可在相同面積下增加電流，但堆疊變高後，源極、汲極的磊晶成長與在薄片之間填入閘極會變得困難，越下層的薄片受寄生電阻與寄生電容的影響也越大。
在已量產的奈米片型 GAA 電晶體中，一個電晶體所堆疊的奈米片數量，一般為何？
出現「磊晶成長」的題目（3題）
相關名詞
SiGe(矽鍺) 奈米片 GAA(環繞式閘極) FinFET(鰭式場效電晶體) 遷移率 ALD(原子層沉積) 4H-SiC 自摻雜 異質磊晶 貫穿差排