SiC功率元件的製造中，磊晶層之所以重要，下列何者是正確的理由？

正確答案：A. 為了以低雜質濃度與所需厚度精密形成承擔耐壓的漂移層

SiC幾乎不會發生雜質的熱擴散，因此元件的主要層是以磊晶成長與離子佈植形成。1200 V等級需要將漂移層精密控制在約10 µm、10¹⁶ cm⁻³左右，這直接決定耐壓與導通電阻。磊晶層中的基底面差排與表面缺陷會成為致命缺陷與雙極性劣化的原因，因此減少缺陷是良率與可靠度的關鍵。