在SiC磊晶成長中，使用從晶軸傾斜數度（具有偏角）的基板，其主要理由為下列何者？

正確答案：A. 使其從表面的原子階梯橫向成長（階梯流成長），承襲與基板相同的晶體多型

SiC有許多原子堆疊方式不同的晶體多型（polytype），在平坦的面上成長時，容易混入其他多型（3C-SiC等）。在具有約4°偏角的基板上，表面有許多原子階梯，原料被階梯捕捉而橫向進行成長（階梯流成長），因此可得到承襲與基板相同的4H-SiC堆疊方式的晶體。