SiC的晶體多型之一，主要用於功率元件。能隙約3.3 eV很大，電子遷移率也相對較高。
日文名稱: 4H-SiC
這個名詞所屬的領域: 磊晶成長
自摻雜 異質磊晶 貫穿差排 晶格不匹配 超晶格 階梯流成長 磊晶成長 橫向磊晶成長(ELO) 選擇性磊晶成長 錯配差排
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